2 Transistor di potenza Infineon Doppio N, canale N, 12.19 mΩ, 20 A 40 V, SuperSO, Montaggio superficiale Miglioramento,

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Codice RS:
229-1842
Codice costruttore:
IPG20N04S412AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO

Serie

IPG

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Doppio N

Standard/Approvazioni

AEC Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di livello normale a doppio canale N Infineon presenta le stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con la stessa dimensione dello stampo. Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico. Si tratta di due canali n in un unico contenitore con 2 telai conduttori isolati.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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