MOSFET Infineon, canale N, 0,0116 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Codice RS:: 229-1845
Codice costruttore:: IPG20N04S4L11AATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0116 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 229-1845
Codice costruttore:: IPG20N04S4L11AATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPG20N04S4L11AATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6 doppio
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0116 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Infineon, canale N, 0,0116 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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