2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale N, 11.6 mΩ, 20 A 40 V, SuperSO, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 229-1845
- Codice costruttore:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Aggiungi 75 in più per risparmiare 4,50 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 15 unità*
17,81 €
(IVA esclusa)
21,72 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 4935 unità in spedizione dal 09 novembre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* | Risparmio |
|---|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,187 € | 17,81 € | - |
| 75 - 135 | 1,127 € | 16,91 € | 4,50 € |
| 150 - 360 | 1,079 € | 16,19 € | 16,20 € |
| 375 - 735 | 1,033 € | 15,50 € | 57,75 € |
| 750 + | 0,961 € | 14,42 € | 169,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-1845
- Codice costruttore:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 41W | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Larghezza | 5.9mm | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 41W | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Larghezza 5.9mm | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Link consigliati
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 11.6 mΩ SuperSO 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Doppio N 12.19 mΩ SuperSO
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 22 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 35 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 7.2 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 36 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 7.6 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 65 mΩ TDSON 8 Pin
