2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 11.6 mΩ, 20 A 40 V, SuperSO, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1845
Codice costruttore:
IPG20N04S4L11AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO

Serie

IPG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

1mm

Larghezza

5.9 mm

Lunghezza

5.15mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di livello logico a doppio canale n Infineon è fattibile per l'ispezione ottica automatica. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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