2 Transistor di potenza Infineon Doppio N, canale N, 12.19 mΩ, 20 A 40 V, SuperSO, Montaggio superficiale Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1843
Codice costruttore:
IPG20N04S412AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO

Serie

IPG

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Doppio N

Standard/Approvazioni

AEC Q101, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di livello normale a doppio canale N Infineon presenta le stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con la stessa dimensione dello stampo. Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico. Si tratta di due canali n in un unico contenitore con 2 telai conduttori isolati.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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