Transistor Digitale onsemi, 8 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

Questi transistor a effetto di campo di potenza a doppia modalità di arricchimento a canale N e P sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza allo stato on e mantenere tuttavia prestazioni di commutazione superiori. Questi dispositivi sono adatti per applicazioni a bassa tensione e alimentazione a batteria in cui sono richieste una bassa perdita di alimentazione in linea e una commutazione veloce.

D1: Canale N.
7,0 A, 30 V.
RDS(ON) = 28 mΩ a VGS = 10 V.
RDS(ON) = 40 mΩ a VGS = 4,5 V.
D2: Canale P.
-5 A, -30 V.
RDS(ON) = 52 mΩ a VGS = -10 V.
RDS(ON) = 80 mΩ a VGS = -4,5 V.
Elevata velocità di commutazione
Elevata potenza e capacità di manipolazione in un package per montaggio superficiale ampiamente utilizzato
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.