IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 686-8354
- Codice costruttore:
- STGW20NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Aggiunto
Prezzo per Unità
1,67 €
(IVA esclusa)
2,04 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 9 | 1,67 € |
| 10 - 99 | 1,55 € |
| 100 - 499 | 1,51 € |
| 500 - 999 | 1,47 € |
| 1000 + | 1,44 € |
- Codice RS:
- 686-8354
- Codice costruttore:
- STGW20NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Tipo di package | TO-247 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
- Codice RS:
- 686-8354
- Codice costruttore:
- STGW20NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics