IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 120 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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Codice RS:
284-976
Codice costruttore:
IGQ120N120S7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

120 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

1 kW

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è un semiconduttore di potenza all'avanguardia progettato per applicazioni ad alte prestazioni. Grazie all'avanzata tecnologia a trincea, questo IGBT offre una robustezza e un'affidabilità eccezionali. In grado di resistere a cortocircuiti fino a 8 microsecondi, è stato progettato per ambienti difficili come gli alimentatori industriali e i sistemi di energia rinnovabile. Il dispositivo funziona con una tensione collettore-emettitore fino a 1200 V e supporta correnti continue di collettore di 120 A. Le prestazioni termiche migliorate sono ottenute grazie alla bassa resistenza termica, che lo rende uno dei preferiti dagli ingegneri che cercano efficienza e prestazioni nei loro progetti.

Ottimizzato per un'elevata dissipazione termica
Gestisce in modo affidabile brevi cortocircuiti
Ampia controllabilità della dv/dt per una maggiore flessibilità
Conforme agli standard industriali di robustezza
Fornisce una bassa tensione di saturazione per garantire l'efficienza
Offre una gamma di modelli per le applicazioni

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