IGBT STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG, VCE 650 V, IC 84 A Doppio gate, HU3PAK, 7 Pin Superficie

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Codice RS:
285-637
Codice costruttore:
STGHU30M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

84A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

441W

Numero transistor

1

Configurazione

Doppio gate

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

11.9mm

Altezza

3.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo dispositivo STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando una struttura Advanced Fieldtop proprietaria del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la distribuzione dei parametri stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C

6 μs di tempo minimo di resistenza ai cortocircuiti

Distribuzione stretta dei parametri

Parallelizzazione più sicura

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo morbido e molto rapido di recupero

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin di pilotaggio supplementare

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