IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 84 A, HU3PAK

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Codice RS:
285-637
Codice costruttore:
STGHU30M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

84 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

441 W

Configurazione

Doppio gate

Tipo di package

HU3PAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Questo dispositivo della STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria trench gate fieldtop. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la stretta distribuzione dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Temperatura massima di giunzione TJ = 175 °C
6 μs di tempo minimo di resistenza al cortocircuito
Distribuzione stretta dei parametri
Parallelo più sicuro
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo a recupero morbido e molto rapido
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin di pilotaggio supplementare

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