Modulo IGBT Fuji Electric, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, M712
- Codice RS:
- 110-9135
- Codice costruttore:
- 7MBR50VB-120-50
- Costruttore:
- Fuji Electric
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- Codice RS:
- 110-9135
- Codice costruttore:
- 7MBR50VB-120-50
- Costruttore:
- Fuji Electric
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Fuji Electric | |
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 280 W | |
| Tipo di package | M712 | |
| Configurazione | Ponte trifase | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 24 | |
| Configurazione transistor | Trifase | |
| Dimensioni | 122 x 62 x 17mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Fuji Electric | ||
Corrente massima continuativa collettore 50 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 280 W | ||
Tipo di package M712 | ||
Configurazione Ponte trifase | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 24 | ||
Configurazione transistor Trifase | ||
Dimensioni 122 x 62 x 17mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Moduli IGBT in confezione da 7, Fuji Electric
Serie V
IGBT discreti e moduli, Fuji Electric
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.