IGBT STMicroelectronics STGWT80H65FB, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
168-8742
Codice costruttore:
STGWT80H65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore (Vceo)

650 V

Corrente massima continua collettore (Ic)

120 A

Tipo di canale

N

Tipo di package

TO-3P

Numero pin

3

Tipo montaggio

Foro passante

Tensione emettitore gate massima (VGEO)

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
KR

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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