IGBT STMicroelectronics STGWT80H65FB, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
829-7145
Codice costruttore:
STGWT80H65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

120A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Tipo di package

TO-3P

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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