IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 60 A, canale Tipo P, TO-247 G03, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
178-4259
Codice costruttore:
FGH60T65SQD-F155
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tipo di package

TO-247 G03

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Field Stop 4th Generation

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

50mJ

Paese di origine:
CN
Usando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop IGBT di quarta generazione di ON Semiconductor offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.

Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C

Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo

Capacità di corrente elevata

Bassa tensione di saturazione: VCE(sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 60 A

Elevata impedenza di ingresso

Commutazione rapida

Distribuzione dei parametri rigida

Applicazioni

Inverter solare, UPS, Saldatore, Telecomunicazioni, ESS, PFC

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