IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03
- Codice RS:
- 178-4259
- Codice costruttore:
- FGH60T65SQD-F155
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
82,17 €
(IVA esclusa)
100,26 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,739 € | 82,17 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4259
- Codice costruttore:
- FGH60T65SQD-F155
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 333 W | |
| Tipo di package | TO-247 G03 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | P | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Capacità del gate | 3813pF | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Classe di efficienza energetica | 50mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 60 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 333 W | ||
Tipo di package TO-247 G03 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale P | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Capacità del gate 3813pF | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Classe di efficienza energetica 50mJ | ||
- Paese di origine:
- CN
Usando una nuova tecnologia field stop IGBT, la nuova serie di field stop IGBT di quarta generazione di ON Semiconductor offre le prestazioni ottimali per applicazioni di inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC dove un basso livello di perdite di conduzione e commutazione è fondamentale.
Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Bassa tensione di saturazione: VCE(sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 60 A
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
Applicazioni
Inverter solare, UPS, Saldatore, Telecomunicazioni, ESS, PFC
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Capacità di corrente elevata
Bassa tensione di saturazione: VCE(sat) = 1,6 V (tip.) a IC = 60 A
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
Applicazioni
Inverter solare, UPS, Saldatore, Telecomunicazioni, ESS, PFC