IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247

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Prezzo per 1 tubo da 450 unità*

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*prezzo indicativo

Codice RS:
202-5676
Codice costruttore:
FGHL50T65SQDT
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±30.0V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

134 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Gli IGBT on Semiconductor offrono le prestazioni ottimali per inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC, in cui sono essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.

Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corrente elevata
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Serrare la distribuzione dei parametri
Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS

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