IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 202-5677
- Codice costruttore:
- FGHL50T65SQDT
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 202-5677
- Codice costruttore:
- FGHL50T65SQDT
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30.0V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 134 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30.0V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 134 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Gli IGBT on Semiconductor offrono le prestazioni ottimali per inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC, in cui sono essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corrente elevata
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Serrare la distribuzione dei parametri
Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS
Capacità di corrente elevata
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Serrare la distribuzione dei parametri
Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS