IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 202-5677
- Codice costruttore:
- FGHL50T65SQDT
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 10
4,93 €
(IVA esclusa)
6,01 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,93 € | 49,30 € |
| 100 - 240 | 4,256 € | 42,56 € |
| 250 - 490 | 4,033 € | 40,33 € |
| 500 - 990 | 3,627 € | 36,27 € |
| 1000 + | 3,055 € | 30,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5677
- Codice costruttore:
- FGHL50T65SQDT
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Gli IGBT on Semiconductor offrono le prestazioni ottimali per inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC, in cui sono essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corrente elevata
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Serrare la distribuzione dei parametri
Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS
Capacità di corrente elevata
Elevata impedenza di ingresso
Commutazione rapida
Serrare la distribuzione dei parametri
Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V |
| Tensione massima gate emitter | ±30.0V |
| Dissipazione di potenza massima | 134 W |
| Numero di transistor | 1 |
| Tipo di package | TO-247 |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Configurazione transistor | Singolo |
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