IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3
- Codice RS:
- 215-6663
- Codice costruttore:
- IKP40N65H5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,782 € | 13,91 € |
| 25 - 45 | 2,308 € | 11,54 € |
| 50 - 120 | 2,246 € | 11,23 € |
| 125 - 245 | 2,186 € | 10,93 € |
| 250 + | 2,13 € | 10,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6663
- Codice costruttore:
- IKP40N65H5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 74 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Tipo di package | PG-TO220-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 74 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Tipo di package PG-TO220-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato duopack di quinta generazione Infineon 650V e diodo di serie ad alta velocità di commutazione nella tecnologia di arresto di tendenza.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica