Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A
- Codice RS:
- 244-5403
- Codice costruttore:
- FS150R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
1740,78 €
(IVA esclusa)
2123,75 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 174,078 € | 1.740,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5403
- Codice costruttore:
- FS150R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | +/-20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 700 W | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter +/-20V | ||
Dissipazione di potenza massima 700 W | ||
Numero di transistor 6 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.
Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF