Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, EconoPACKTM3
- Codice RS:
- 244-5403
- Codice costruttore:
- FS150R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
1110,85 €
(IVA esclusa)
1355,24 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 111,085 € | 1.110,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5403
- Codice costruttore:
- FS150R12KT3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 200A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Numero transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 700W | |
| Tipo di package | EconoPACKTM3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | FS150R12KT3 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 200A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Numero transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 700W | ||
Tipo di package EconoPACKTM3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie FS150R12KT3 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo IGBT Infineon la massima corrente di collettore di Peak ripetitiva nominale è di 300 A e tensione di saturazione collettore-emettitore di 2,15 V, la tensione di soglia gate è di 6,5 V.
Corrente di taglio collettore-emettitore 5,0 ma
Temperatura in condizioni di commutazione 125 °C.
Corrente di dispersione emettitore gate 400 na
Capacità di trasferimento inverso NF
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