IGBT Infineon IGB20N65S5ATMA1, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-263, 3 Pin Foro passante

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:
273-2956
Codice costruttore:
IGB20N65S5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

TRENCHSTOPTM5

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon con diodo antiparallelo in contenitore TO263 è adatto per l'uso con una resistenza di gate di accensione o spegnimento singola.

Non sono richiesti driver gate con morsetto Miller

Riduzione del filtro EMI richiesto

Eccellente per la parallelizzazione

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