IGBT Infineon IGB20N65S5ATMA1, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 273-2956
- Codice costruttore:
- IGB20N65S5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
772,00 €
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942,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,772 € | 772,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2956
- Codice costruttore:
- IGB20N65S5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.35V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | TRENCHSTOPTM5 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.35V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie TRENCHSTOPTM5 | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT Infineon con diodo antiparallelo in contenitore TO263 è adatto per l'uso con una resistenza di gate di accensione o spegnimento singola.
Non sono richiesti driver gate con morsetto Miller
Riduzione del filtro EMI richiesto
Eccellente per la parallelizzazione
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