IGBT, VCE 25 V, IC 153 A, canale N, PG-TDSON-8

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2295,00 €

(IVA esclusa)

2800,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:
273-5233
Codice costruttore:
BSC018NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

153 A

Tensione massima collettore emitter

25 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

8

Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale N da 25 V. È ottimizzato per un convertitore buck ad alte prestazioni. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target. Questo MOSFET è privo di alogeni in conformità allo standard IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS
Placcatura senza piombo
Resistenza all'accensione molto bassa
Superiore resistenza termica
Testato al 100% contro le valanghe

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