Codice costruttore

IGBT STMicroelectronics STGW60V60F, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Codice RS:: 791-7655
Codice costruttore:: STGW60V60F
Costruttore:: STMicroelectronics

IGBT STMicroelectronics STGW60V60F, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

21,66 €

(IVA esclusa)

26,425 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 10 dicembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	4,332 €	21,66 €
50 - 120	4,102 €	20,51 €
125 +	3,89 €	19,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 791-7655
Codice costruttore:: STGW60V60F
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	IGBT
	Corrente massima continua collettore Ic	80A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	600V
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Tipo di canale	Tipo N
	Numero pin	3
	Velocità di commutazione	1MHz
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT	2.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO	±20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	14.8mm
	Altezza	20.15mm
	Standard/Approvazioni	ECOPACK
	Serie	V
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto IGBT
	Corrente massima continua collettore Ic 80A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Tipo di canale Tipo N
	Numero pin 3
	Velocità di commutazione 1MHz
	Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 14.8mm
	Altezza 20.15mm
	Standard/Approvazioni ECOPACK
	Serie V
	Standard automobilistico No

ESBT discreti, ST Microelectronics

IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.