IGBT STMicroelectronics STGW39NC60VD, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,47 €

(IVA esclusa)

10,334 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 354 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 24,235 €8,47 €
4 +4,025 €8,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
795-9209
Codice costruttore:
STGW39NC60VD
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

15.75 mm

Lunghezza

14.8mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD97

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Recently viewed