IGBT STMicroelectronics STGW39NC60VD, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 795-9209
- Codice costruttore:
- STGW39NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
8,69 €
(IVA esclusa)
10,602 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 292 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,345 € | 8,69 € |
| 20 - 98 | 3,535 € | 7,07 € |
| 100 - 198 | 2,695 € | 5,39 € |
| 200 + | 2,39 € | 4,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 795-9209
- Codice costruttore:
- STGW39NC60VD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Lunghezza | 14.8mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC JESD97 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 20.15mm | ||
Lunghezza 14.8mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC JESD97 | ||
Standard automobilistico No | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGW60V60F IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGW40V60DF IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IC 80 A 3 Pin
- IGBT Bourns IC 40 A, TO-247
- IGBT Bourns IC 30 A, TO-247
- IGBT Bourns BIDNW30N60H3 IC 30 A, TO-247