IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P
- Codice RS:
- 796-5061
- Codice costruttore:
- GT50JR21
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per Unità
5,03 €
(IVA esclusa)
6,14 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 + | 5,03 € |
- Codice RS:
- 796-5061
- Codice costruttore:
- GT50JR21
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
IGBT Discreti, Toshiba
IGBT discreti e moduli, Toshiba
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±25V |
| Dissipazione di potenza massima | 230 W |
| Tipo di package | TO-3P |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Velocità di switching | 1MHz |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
- Codice RS:
- 796-5061
- Codice costruttore:
- GT50JR21
- Costruttore:
- Toshiba