MOSFET IXYS, canale Tipo N 600 V, 75 mΩ Miglioramento, 72 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN82N60P

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Codice RS:
194-130
Codice costruttore:
IXFN82N60P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

HiperFET, Polar

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

240nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.2mm

Standard automobilistico

No

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