MOSFET IXYS, canale N, 11 mΩ, 150 A, SOT-227, Montaggio a vite

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
194-259P
Codice costruttore:
IXFN180N15P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

150 A

Tensione massima drain source

150 V

Serie

HiperFET, Polar

Tipo di package

SOT-227

Tipo di montaggio

Montaggio a vite

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

11 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

680 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

38.23mm

Larghezza

25.42mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

240 nC a 10 V

Altezza

9.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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