MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 29 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie SCT027H65G3AG

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Codice RS:
214-954
Codice costruttore:
SCT027H65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCT

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.8mm

Larghezza

10.4 mm

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

15.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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