MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 900 V, 12 mΩ Miglioramento, 110 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie SCT012H90G3AG

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Codice RS:
215-219
Codice costruttore:
SCT012H90G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

138nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.4 mm

Altezza

4.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

15.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

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