2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 800 mΩ, 0.9 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin ZXMS6008DN8Q-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-350
Codice costruttore:
ZXMS6008DN8Q-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

ZXMS6008N8

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.13W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

4.9mm

Altezza

1.45mm

Larghezza

6 mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Antimony-Free

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET DiodesZetex è un MOSFET IntelliFET doppio autoprotetto a lato basso con ingresso a livello logico. Integra funzionalità di sovratemperatura, sovracorrente, sovratensione e protezione ESD dei livelli logici. È ideale come interruttore generico pilotato da microcontrollori a 3,3 V o 5 V in ambienti difficili dove i MOSFET standard non sono sufficientemente robusti.

Pacchetto compatto ad alta dissipazione di potenza

Bassa corrente di ingresso

Protezione da cortocircuito con riavvio automatico

Protezione dalle sovratensioni

Spegnimento termico con riavvio automatico

Protezione da sovracorrente

Protezione ESD in ingresso

Elevata corrente nominale continua

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