2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 800 mΩ, 0.9 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin ZXMS6008DN8Q-13
- Codice RS:
- 216-350
- Codice costruttore:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
0,55 €
(IVA esclusa)
0,67 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2480 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,55 € |
| 10 - 99 | 0,49 € |
| 100 - 499 | 0,45 € |
| 500 - 999 | 0,42 € |
| 1000 + | 0,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-350
- Codice costruttore:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008N8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 800mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.13W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1.45mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Larghezza | 6 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Antimony-Free | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie ZXMS6008N8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.13W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1.45mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Larghezza 6 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Antimony-Free | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET DiodesZetex è un MOSFET IntelliFET doppio autoprotetto a lato basso con ingresso a livello logico. Integra funzionalità di sovratemperatura, sovracorrente, sovratensione e protezione ESD dei livelli logici. È ideale come interruttore generico pilotato da microcontrollori a 3,3 V o 5 V in ambienti difficili dove i MOSFET standard non sono sufficientemente robusti.
Pacchetto compatto ad alta dissipazione di potenza
Bassa corrente di ingresso
Protezione da cortocircuito con riavvio automatico
Protezione dalle sovratensioni
Spegnimento termico con riavvio automatico
Protezione da sovracorrente
Protezione ESD in ingresso
Elevata corrente nominale continua
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 900 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 6 SO-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 10 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 900 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 900 mΩ SOT-23, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 900 mΩ SOT-26, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 1 900 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 900 mA Montaggio superficiale
