MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 71 mΩ Miglioramento, 18 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN075-100MSEX

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Codice RS:
219-413
Codice costruttore:
PSMN075-100MSEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

71mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEEE802.3at, RoHS

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia è progettato per supportare la prossima generazione di sistemi Power-over-Ethernet, in grado di erogare fino a 100 W a ogni dispositivo alimentato. Soddisfa le crescenti esigenze di applicazioni come display LCD a schermo grande, hotspot 3G/4G/Wi-Fi e telecamere CCTV pan-tilt-zoom. Con caratteristiche avanzate che trattano le procedure di soft-start, la resilienza ai cortocircuiti, la gestione termica e l'elevata densità di potenza, garantisce prestazioni affidabili ed efficienti per le apparecchiature di alimentazione in ambienti difficili.

Area di funzionamento sicura con polarizzazione in avanti migliorata per un funzionamento in modalità lineare superiore

Basso Rdson per basse perdite di conduzione

Contenitore LFPAK33 ultra-affidabile

IDSS molto basso

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