MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 5 Pin, TO-263, Superficie PSMN1R5-30BLEJ

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Codice RS:
219-444
Codice costruttore:
PSMN1R5-30BLEJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-263

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

228nC

Dissipazione di potenza massima Pd

401W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N di livello logico Nexperia è alloggiato in un contenitore D2PAK e qualificato per il funzionamento fino a 175 °C. È progettato per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni industriali, di comunicazione e domestiche, offrendo prestazioni affidabili in ambienti difficili.

Area di funzionamento sicura con polarizzazione in avanti migliorata per un funzionamento in modalità lineare superiore

Rdson molto basso per basse perdite di conduzione

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