MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 13 mΩ Miglioramento, 151 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L013N120M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-567
Codice costruttore:
NTH4L013N120M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247-4L

Serie

NTH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

254nC

Dissipazione di potenza massima Pd

682W

Tensione diretta Vf

4.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

16.2mm

Standard/Approvazioni

Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Altezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
I MOSFET di ON Semiconductor sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di gate negativa e spegne i picchi sul gate. Questa famiglia ha prestazioni ottimali quando azionata con l'azionamento del gate da 18 V, ma funziona anche bene con l'azionamento del gate da 15 V.

Senza alogenuri

Conformità RoHS

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