MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 13 mΩ Miglioramento, 151 A, 4 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L013N120M3S

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Codice RS:
220-567
Codice costruttore:
NTH4L013N120M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247-4L

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

682W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

254nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Lunghezza

16.2mm

Altezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
I MOSFET di ON Semiconductor sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di gate negativa e spegne i picchi sul gate. Questa famiglia ha prestazioni ottimali quando azionata con l'azionamento del gate da 18 V, ma funziona anche bene con l'azionamento del gate da 15 V.

Senza alogenuri

Conformità RoHS

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