MOSFET onsemi, canale Tipo N 750 V, 13.5 mΩ Miglioramento, 140 A, 7 Pin, TO-247-4L, Foro passante NTH4L018N075SC1
- Codice RS:
- 277-041
- Codice costruttore:
- NTH4L018N075SC1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 277-041
- Codice costruttore:
- NTH4L018N075SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 140A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 262nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 140A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 262nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET SiC di ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.
Carica di gate ultra bassa
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
Valanga testata al 100%
Il dispositivo è privo di alogenuri e conforme alla normativa RoHS
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