1 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 5.1 mΩ, 120 A 100 V, TO-263AB Miglioramento, 3 Pin RJ1P07CBHTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-884
Codice costruttore:
RJ1P07CBHTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

RJ1

Tipo di package

TO-263AB

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73.0nC

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

1

Il MOSFET di potenza ROHM Nch 100V 120A TO-263AB con bassa resistenza di accensione e alta potenza in un piccolo stampo, adatto alla commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto piccolo ad alta potenza (TO263AB)

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

100% testato UIS

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