MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 30 V, 120 mΩ Miglioramento, 3 Pin, MPT3, Superficie R4P030N03HZGT100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-552
Codice costruttore:
R4P030N03HZGT100
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

R4P

Tipo di package

MPT3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.70 mm

Lunghezza

4.30mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo in ossido di metallo a canale N con azionamento da 4 volt ROHM è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e supporta il funzionamento con azionamento da 4 volt.

Certificato AEC-Q101

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