MOSFET singoli ROHM, canale N 30 V, 120 mΩ Miglioramento, 3 A, 3 Pin, MPT3, Superficie R4P030N03HZGT100

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 10 unità, su un nastro da 10*

3,59 €

(IVA esclusa)

4,38 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Nastro*
10 - 900,359 €3,59 €
100 - 2400,315 €3,15 €
250 - 9900,284 €2,84 €
1000 - 49900,23 €2,30 €
5000 +0,224 €2,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-552
Codice costruttore:
R4P030N03HZGT100
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

MPT3

Serie

R4P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Lunghezza

4.3mm

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo in ossido di metallo a canale N con azionamento da 4 volt ROHM è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e supporta il funzionamento con azionamento da 4 volt.

Certificato AEC-Q101

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.