MOSFET singoli ROHM, canale N 60 V, 200 mΩ Miglioramento, 2 A, 3 Pin, MPT3, Superficie R4P020N06HZGT100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-554
Codice costruttore:
R4P020N06HZGT100
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

R4P

Tipo di package

MPT3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

4.3mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo a canale N con pilotaggio a 4 volt di ROHM presenta una bassa resistenza di accensione e supporta il funzionamento con pilotaggio a 4 volt.

Certificazione AEC-Q101

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