MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 240 mΩ Miglioramento, 3 Pin, MPT3, Superficie R2P020N06HZGT100

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 10 unità*

3,46 €

(IVA esclusa)

4,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 01 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
10 - 900,346 €3,46 €
100 - 2400,304 €3,04 €
250 - 9900,274 €2,74 €
1000 - 49900,222 €2,22 €
5000 +0,216 €2,16 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-553
Codice costruttore:
R2P020N06HZGT100
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

R2P

Tipo di package

MPT3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

240mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.6mm

Larghezza

4.70 mm

Lunghezza

4.30mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo di media potenza ROHM a canale N da 60 volt e 2 ampere è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e supporta l'azionamento a bassa tensione con funzionamento a 2,5 Volt.

Certificazione AEC-Q101

Link consigliati