MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 100 V, 1.86 mΩ Miglioramento, 8 Pin, DFN8080T8LSHAAI, Superficie RY7P250BMTBC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-343
Codice costruttore:
RY7P250BMTBC
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

DFN8080T8LSHAAI

Serie

RY7P250BM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.86mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

240nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

1.7mm

Larghezza

1.70 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni esigenti che richiedono un'eccellente efficienza e affidabilità. Questo MOSFET è ideale per l'uso in controllori Hot Swap e altre applicazioni di commutazione di potenza, dove la sua bassa resistenza in stato attivo di 1,86 mΩ garantisce una perdita di energia minima durante il funzionamento. Questo componente è RoHS e privo di alogeni, il che lo rende una scelta sicura per progetti attenti all'ambiente. Grazie a caratteristiche avanzate come il 100% Rg e i test UIS, garantisce prestazioni robuste in condizioni diverse, rendendolo adatto a circuiti elettronici ad alte prestazioni e affidabilità.

Bassa resistenza di accensione per una maggiore efficienza

Caratteristiche Wide-SOA per un'affidabilità superiore

Prodotto progettato per gestire correnti di drenaggio continue fino a 250 A

Elevata capacità di corrente di drenaggio a impulsi a ±900 A

Eccellente gestione termica con resistenza termica di 0,44 °C/W

Adatto per un'ampia gamma di temperature d'esercizio da -55 a +175 °C

Conforme agli standard RoHS e senza alogeni.

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