MOSFET singoli ROHM, canale N 150 V, 27 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-263AB, Superficie RJ1R04BBHTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-551
Codice costruttore:
RJ1R04BBHTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263AB

Serie

RJ1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.77mm

Lunghezza

15.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo ROHM su canale N con potenza di 150 volt e 40 ampere è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione, da un tipo di package ad alta potenza TO-263AB, da una placcatura priva di piombo e dalla conformità alle restrizioni sulle sostanze pericolose.

Senza alogeni

Testato al 100% per Rg e UIS

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