MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 131.5 A, 10 Pin, TCPAK10, Superficie NTMJST2D6N08HTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-048
Codice costruttore:
NTMJST2D6N08HTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

131.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TCPAK10

Serie

NTM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Dissipazione di potenza massima Pd

116W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

7.5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET di ON Semiconductor è un transistor di potenza a singolo canale N con una tensione nominale di 80V, una resistenza di accensione di 2,8mΩ e una capacità di corrente di 131,5A. Il suo package compatto TCPAK57 da 5x7 mm offre eccellenti prestazioni termiche, rendendolo adatto ad applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza, controllo dei motori e conversione DC-DC.

Pacchetto top cool ottimizzato per dissipare il calore dall'alto

Ingombro ridotto per progetti compatti

RDS(on) ultra basso per migliorare l'efficienza del sistema

Il dispositivo è privo di Pb e conforme a RoHS

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