MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.76 mΩ Miglioramento, 510 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN06S5N008ATMA1

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Codice RS:
284-698
Codice costruttore:
IAUTN06S5N008ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

510A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-HSOF-8-1

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.76mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

358W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per autoveicoli Infineon OptiMOS 5 è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico, offrendo efficienza e affidabilità eccezionali. Progettato come un robusto dispositivo in modalità di potenziamento a canale N, garantisce una funzionalità superiore con test elettrici avanzati che soddisfano i rigorosi standard del settore. Questo componente innovativo prevale nella gestione dell'alimentazione automobilistica, offrendo un design compatto che si integra perfettamente in diversi sistemi automobilistici. Con una notevole gamma di temperature operative e la conformità alla norma AEC Q101, garantisce prestazioni costanti anche in condizioni ambientali difficili.

Il design robusto aumenta l'affidabilità

Supera le qualifiche standard del settore

Efficace resistenza termica per la gestione del calore

il 100% dei test sulle valanghe ne garantisce la durata

Conformi alla direttiva RoHS per un uso ecologico

Gestisce correnti di drenaggio continue elevate

Carica gate avanzata per una commutazione rapida

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