MOSFET Infineon, canale N, 112 A, PG-HDSOP-22, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-739
Codice costruttore:
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

112 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

600V CoolMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

22

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon della serie CoolMOS CFD7 introduce un transistor di potenza innovativo, specificamente progettato per applicazioni ad alta tensione. Con una notevole tensione nominale di 600 V, si distingue per la sua maggiore efficienza e affidabilità. L'avanzata tecnologia a supergiunzione offre prestazioni ineguagliabili, in particolare nelle applicazioni di commutazione morbida come i convertitori a ponte intero con spostamento di fase e le topologie risonanti LLC. L'ottimizzazione delle caratteristiche di carica del gate e di recupero inverso riduce significativamente le perdite, aumentando così le prestazioni complessive dei sistemi di potenza. Questo prodotto è la scelta ideale per i settori che richiedono prestazioni elettriche elevate, come gli ecosistemi di server, le telecomunicazioni e la ricarica dei veicoli elettrici.

Ottimizzato per le topologie di commutazione morbida
La bassa carica del gate consente una commutazione più rapida
Il recupero inverso superiore migliora le prestazioni
Progettato per un'elevata affidabilità e operatività
Aumenta la densità di potenza e risparmia spazio
Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria

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