MOSFET Infineon, canale N, 99 A, PG-TTFN-9, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-763
Codice costruttore:
IQE046N08LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

99 A

Tensione massima drain source

80 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

9

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza progettato per alimentatori a commutazione ad alte prestazioni, ottimizzando applicazioni come il raddrizzamento sincrono. L'innovativa struttura MOSFET a canale N e livello logico garantisce una notevole efficienza e perdite di energia minime. Con una resistenza termica che ne migliora la gestione a temperature diverse, questo prodotto è pienamente conforme agli standard RoHS e privo di alogeni, il che lo rende un'opzione ecologica. Costruito con un'attenzione particolare all'affidabilità, è stato sottoposto a test approfonditi per garantire prestazioni costanti nelle applicazioni industriali più esigenti. Il design avanzato promette eccezionali caratteristiche di resistenza, in grado di gestire correnti elevate per una conversione di potenza efficiente.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni
Il design a canale N riduce la resistenza
Conformità alla direttiva RoHS per la sicurezza ambientale
Testato a valanga per garantire l'affidabilità
Funzionamento a livello logico per basse tensioni di gate
Eccellente resistenza termica per un funzionamento più freddo
Senza alogeni per iniziative eco-compatibili

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