MOSFET Infineon, canale N, 136 A, PG-HDSOP-22, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-868
Codice costruttore:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

136 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

22

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è dotato della serie CoolMOS CFD7, progettata per un'elevata efficienza nelle applicazioni di commutazione risonante. Con una tensione di rottura di 650 V, il prodotto eccelle in termini di prestazioni termiche, rappresentando la scelta ideale per ambienti esigenti come i sistemi di server e telecomunicazioni, la ricarica di veicoli elettrici e le applicazioni solari. Le sue capacità superiori di commutazione dura e le caratteristiche di commutazione rapida garantiscono affidabilità e sicurezza nelle applicazioni critiche. Il dispositivo mira a migliorare la densità di potenza, garantendo al contempo prestazioni eccezionali in condizioni di carico leggero. Per questo motivo, rappresenta una soluzione efficace per i progetti contemporanei ad alta efficienza energetica.

Il diodo di corpo ultraveloce aumenta le prestazioni di commutazione
Ottimizzato per applicazioni a ponte intero con sfasamento
L'elevata robustezza termica migliora l'efficienza complessiva
Design flessibile con bassa dipendenza dalla temperatura RDS
Supporta tensioni di bus più elevate per una maggiore densità di potenza
Resiliente alle commutazioni rigide per un funzionamento affidabile
Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC

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