MOSFET Infineon, canale N, 16 A, PG-HSOF-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-916
Codice costruttore:
IPT65R190CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

16 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è dotato di un avanzato dispositivo di potenza CoolMOS CFD7 da 650 V che offre un'efficienza e prestazioni termiche senza precedenti per applicazioni in topologie di commutazione risonanti. Progettato come fiore all'occhiello della serie CFD7, promette caratteristiche di commutazione migliorate, che lo rendono la soluzione ideale per gli ambienti più esigenti, come le applicazioni per server, telecomunicazioni e ricarica di veicoli elettrici. Grazie all'innovativo diodo a corpo ultraveloce e alla superiore robustezza della commutazione dura, questo dispositivo supera le tradizionali funzionalità dei MOSFET, consentendo un significativo aumento della densità di potenza e dell'affidabilità. Il suo design avanzato accentua le capacità di gestione termica richieste dai sistemi ad alte prestazioni.

Il diodo di corpo ultraveloce migliora le prestazioni critiche
La migliore resistenza allo stato della categoria riduce la perdita di energia
Progettato su misura per un'elevata densità di potenza e per aumentare l'efficienza
Ottimizzato per progetti a ponte intero con sfasamento
Soddisfa gli standard di sicurezza per un funzionamento affidabile
Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC per la qualità

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