MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 301-631
Codice costruttore:: IRF5801TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 301-631
Codice costruttore:: IRF5801TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF5801 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	600 mA
Tensione massima drain source	200 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	1.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Altezza	0.9mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon

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