MOSFET Infineon, canale N 200 V, 2.2 Ω Miglioramento, 600 mA, 6 Pin, TSOP, Superficie IRF5801TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
301-631
Codice Distrelec:
304-36-986
Codice costruttore:
IRF5801TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TSOP

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.5mm

Lunghezza

3mm

Altezza

900μm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


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