MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 29 mΩ Miglioramento, 8.2 A, 6 Pin, TSOP, Superficie

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Codice RS:
165-5807
Codice costruttore:
IRFTS8342TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOP

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.75 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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