MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 29 mΩ Miglioramento, 8.2 A, 6 Pin, TSOP, Superficie IRFTS8342TRPBF
- Codice RS:
- 827-4127
- Codice costruttore:
- IRFTS8342TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 827-4127
- Codice costruttore:
- IRFTS8342TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1.3mm | |
| Larghezza | 1.75 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOP | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1.3mm | ||
Larghezza 1.75 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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