MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4725
Codice costruttore:: IRF5801TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,15 €	450,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4725
Codice costruttore:: IRF5801TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	600 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TSOP-6
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	3mm
Carica gate tipica @ Vgs	3,9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 Ω, 600 mA, TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon

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