MOSFET Infineon, canale N 200 V, 2.2 Ω Miglioramento, 600 mA, 6 Pin, TSOP, Superficie

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Codice RS:
919-4725
Codice costruttore:
IRF5801TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.5mm

Altezza

900μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


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Transistor MOSFET, Infineon


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