MOSFET Infineon, canale Tipo N, 2.21 mΩ 750 V, 620 A Miglioramento, HybridPACK Drive G2, Morsetto a vite
- Codice RS:
- 349-030
- Codice costruttore:
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-030
- Codice costruttore:
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 620A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Serie | HybridPACK Drive G2 | |
| Tipo di package | HybridPACK Drive G2 | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.21mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 19 V | |
| Tensione diretta Vf | 6.73V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 620A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Serie HybridPACK Drive G2 | ||
Tipo di package HybridPACK Drive G2 | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.21mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19 V | ||
Tensione diretta Vf 6.73V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 Infineon è un modulo di potenza a ponte B6 altamente compatto con un pacchetto migliorato ottimizzato per varie classi di potenza degli inverter. Il modulo di potenza implementa il MOSFET CoolSiC Automotive da 750 V di seconda generazione, ottimizzato per le applicazioni di trasmissione elettrica, dalle classi di potenza automobilistiche di fascia media e alta ai veicoli commerciali, edili e agricoli di fascia alta.
Design compatto
Elevata densità di potenza
Piastra di base PinFin a raffreddamento diretto
Ceramica Si3N4 ad alte prestazioni
Linee guida per l'assemblaggio di circuito stampato e raffreddatori
Diodo di rilevamento della temperatura integrato