MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 57 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IMLT65R040M2HXTMA1

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Codice RS:
349-050
Codice costruttore:
IMLT65R040M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HDSOP-16

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore ed eccellente facilità d'uso. Progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi di alimentazione, questo MOSFET consente di realizzare progetti economici, altamente efficienti e semplificati. È la soluzione ideale per soddisfare le esigenze sempre crescenti dei sistemi e dei mercati dell'energia, offrendo prestazioni elevate ed efficienza energetica per un'ampia gamma di applicazioni.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

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