Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 57 A, 10 Pin, PG-HDSOP-10-1, Superficie IPDD60R050G7XTMA1

Codice RS:: 273-2787
Codice costruttore:: IPDD60R050G7XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 57 A, 10 Pin, PG-HDSOP-10-1, Superficie IPDD60R050G7XTMA1

Prezzo per 1 bobina da 1700 unità*

7920,30 €

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Codice RS:: 273-2787
Codice costruttore:: IPDD60R050G7XTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PG-HDSOP-10-1
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	10
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	50mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	278W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	68nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 57A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PG-HDSOP-10-1
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 10
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 50mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 278W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 68nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPDD60R050G7XTMA1

Il MOSFET di Infineon è facile da usare e vanta i più alti standard di qualità. È possibile aumentare le economie di scala utilizzando nelle applicazioni le topologie PFC e PWM. La riduzione dell'induttanza parassita della sorgente Kelvin migliora l'efficienza grazie a una commutazione più rapida e alla facilità d'uso dovuta alla riduzione del ringing.

Totalmente privo di Pb

Conforme a RoHS

Conduttori di facile ispezione visiva

Miglioramento delle prestazioni termiche

Adatto per commutazioni hard e soft

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