MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 50 mΩ Miglioramento, 57 A, 10 Pin, PG-HDSOP-10-1, Superficie IPDD60R050G7XTMA1

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Codice RS:
273-2787
Codice costruttore:
IPDD60R050G7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-HDSOP-10-1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon è facile da usare e vanta i più alti standard di qualità. È possibile aumentare le economie di scala utilizzando nelle applicazioni le topologie PFC e PWM. La riduzione dell'induttanza parassita della sorgente Kelvin migliora l'efficienza grazie a una commutazione più rapida e alla facilità d'uso dovuta alla riduzione del ringing.

Totalmente privo di Pb

Conforme a RoHS

Conduttori di facile ispezione visiva

Miglioramento delle prestazioni termiche

Adatto per commutazioni hard e soft

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