MOSFET Infineon, canale N 650 V, 37 mΩ Miglioramento, 72 A, 10 Pin, PG-HDSOP-10, Superficie IPDD60R037CM8XTMA1

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Codice RS:
348-990
Codice costruttore:
IPDD60R037CM8XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HDSOP-10

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

37mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
La piattaforma CoolMOS Infineon di ottava generazione è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e sperimentata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS CM8 da 600 V è il successore del CoolMOS 7. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una bassa tendenza al ringing, l'implementazione di un diodo intrinseco rapido per tutti i prodotti con un'eccezionale robustezza contro l'hard switching e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e di conduzione estremamente basse del CM8 rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti.

Adatto a topologie hard e soft switching

Facilità d'uso e rapidità di progettazione grazie alla bassa tendenza al ringing

Gestione termica semplificata grazie alla nostra tecnica avanzata di fissaggio della matrice

Adatto a un'ampia gamma di applicazioni e gamme di potenza

Soluzioni a maggiore densità di potenza grazie all'utilizzo di prodotti con ingombro ridotto

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