MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.331 Ω Miglioramento, 21 A, 10 Pin, PG-HDSOP-10, Superficie IPDD60R180CM8XTMA1

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Codice RS:
348-991
Codice costruttore:
IPDD60R180CM8XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HDSOP-10

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.331Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

169W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
La piattaforma CoolMOS Infineon di ottava generazione è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e sperimentata da Infineon Technologies. La serie CoolMOS CM8 da 600 V è il successore del CoolMOS 7. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una bassa tendenza al ringing, l'implementazione di un diodo intrinseco rapido per tutti i prodotti con un'eccezionale robustezza contro l'hard switching e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e di conduzione estremamente basse del CM8 rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti.

Adatto a topologie hard e soft switching

Facilità d'uso e rapidità di progettazione grazie alla bassa tendenza al ringing

Gestione termica semplificata grazie alla nostra tecnica avanzata di fissaggio della matrice

Adatto a un'ampia gamma di applicazioni e gamme di potenza

Soluzioni a maggiore densità di potenza grazie all'utilizzo di prodotti con ingombro ridotto

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